Ново оригинално интегрисано коло БСП772Т ИП5306 БСЗ040Н06ЛС5 ТЛЕ7270-2Д ИЦ чип
БСЗ040Н06ЛС5
Инфинеон-ов ОптиМОС™ 5 енергетски МОСФЕТ логички ниво је веома погодан за бежично пуњење, адаптере и телекомуникацијске апликације.Ниско пуњење гејта уређаја (К г) смањује комутационе губитке без угрожавања проводљивих губитака.Побољшане вредности квалитета омогућавају рад на високим фреквенцијама пребацивања.Штавише, драјв логичког нивоа обезбеђује ниске прагове на излазунапон задржавања (В ГС(тх)) омогућавајући МОСФЕТ-овима да буду покретани на 5В и директно из микроконтролера.
Резиме карактеристика
Низак Р ДС(укључено) у малом паковању
Ниска наплата капије
Ниже излазно пуњење
Компатибилност логичког нивоа
Предности
Дизајн са већом густином снаге
Већа фреквенција пребацивања
Смањен број делова где год је доступно напајање од 5В
Покреће се директно из микроконтролера (споро пребацивање)
Смањење трошкова система
Параметрицс
| Параметрицс | БСЗ040Н06ЛС5 |
| Буџетска цена €/1к | 0,56 |
| Цисс | 2400 пФ |
| Цосс | 500 пФ |
| ИД (@25°Ц) мак | 101 А |
| ИДпулс мак | 404 А |
| Монтажа | СМД |
| Радна температура мин мак | -55 °Ц 150 °Ц |
| Птот мак | 69 В |
| Пакет | ПКФН 3,3 к 3,3 |
| Пин Цоунт | 8 Пинс |
| Поларитет | N |
| КГ (тип @4,5В) | 18 нЦ |
| Кгд | 5.3 нЦ |
| РДС (укључено) (@4,5В ЛЛ) макс | 5,6 мΩ |
| РДС (укључено) (@4,5В) мак | 5,6 мΩ |
| РДС (укључено) (@10В) мак | 4 мΩ |
| Ртх мак | 1,8 К/В |
| РтхЈА мак | 62 К/В |
| РтхЈЦ мак | 1,8 К/В |
| ВДС мак | 60 В |
| ВГС(тх) мин мак | 1,7 В 1,1 В 2,3 В |
